长鑫科技申请半导体器件及其制备方法、动态随机存储器专利,该半导体器件包括沟道结构、位线和字线
创始人
2025-12-26 09:07:55
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国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、动态随机存储器”的专利,公开号CN121218583A,申请日期为2024年6月。

专利摘要显示,一种半导体器件及其制备方法、三维动态随机存储器,该半导体器件包括:衬底;沟道结构,沟道结构沿第一方向设置于衬底上;位线,位线设置于沟道结构与衬底之间并与沟道结构电连接,位线沿第二方向延伸;字线,字线设置于沟道结构至少一侧并沿第三方向延伸;第一方向与衬底相交,第二方向平行于衬底,第三方向平行于衬底并与第二方向相交;其中,沟道结构包括填充材料和设置于填充材料外表面的氧化物半导体层。

天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于2016年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业,参与招投标项目1085次,财产线索方面有商标信息236条,专利信息625条,此外企业还拥有行政许可34个。

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来源:市场资讯

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