广能达半导体申请射频电源阻抗匹配方法等专利，提升阻抗匹配的速度
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2025-07-01 09:09:01
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“射频电源阻抗匹配方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN120237923A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及射频电源技术领域，揭露一种射频电源阻抗匹配方法，包括：通过定向耦合器测量射频电路中前端设备的阻抗参数，系统包括定向耦合器、电容设备、MCU处理器、负载，用电容设备构建串联电路和并联电路，利用MCU处理器控制电路，形成串联控制电路和并联控制电路，将电路中串联/并联控制电路与负载之间的其余设备归为综合设备，计算其设备阻抗，计算串联控制电路和并联控制电路的阻抗，根据负载阻抗、串联控制电路阻抗和并联控制电路阻抗，计算电路总阻抗，通过调整串联电容和并联电容的容值进行阻抗匹配。本发明还提出一种射频电源阻抗匹配装置、设备及存储介质。
天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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