威胜信息：已完成SiC MOSFET应用特性、驱动芯片等技术研究，碳化硅功率MOS芯片广泛应用于充电桩、新能源领域
创始人
2026-01-06 17:37:13
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有投资者在互动平台向威胜信息提问：“请问贵司SiC 积累了哪些技术储备呢？是否可以为HDVC提供解决方案。2021年贵司联合北京智芯、三安光电组建了‘碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室’, 请问时隔4年是否有什么成果可以分享给市场？”
针对上述提问，威胜信息回应称：“尊敬的投资者，您好！公司依托2021年与北京智芯、湖南三安共建的‘碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室’，已完成SiC MOSFET应用特性、驱动芯片等技术研究；2024 年，碳化硅功率MOS芯片广泛应用于充电桩、新能源领域，并顺利取得自研充电模块型式报告。未来，公司将持续强化半导体技术布局，推动SiC技术与‘物联网+芯片+人工智能’核心技术体系深度融合，为新型能源体系建设提供技术支撑，感谢您的关注。”
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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