三安光电申请半导体外延结构及发光二极管专利，有效提高空穴注入效率
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2026-01-24 13:09:49
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国家知识产权局信息显示，安徽三安光电有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置”的专利，公开号CN121398288A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置，包括衬底及位于衬底上的外延层，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第一电子阻挡层和第二半导体层，第一电子阻挡层包括依次层叠的第一子阻挡层和插入层，第一子阻挡层包括高铝半导体层，插入层形成在高铝半导体层上，插入层包括非故意掺杂铝的极化强化层。在电场作用下，通过极化强化层配合高铝半导体层，能够在极化诱导效应下获得更高的载流子迁移率，利于形成二维空穴气，增加空穴浓度，有效提高了空穴注入效率，进而提高器件发光效率。
天眼查资料显示，安徽三安光电有限公司，成立于2010年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本298000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽三安光电有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目23次，专利信息394条，此外企业还拥有行政许可25个。
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