长江存储申请半导体结构及其制造方法、存储系统专利，第一沟道结构沿第一方向延伸并贯穿堆叠结构
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2026-01-29 01:09:09
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利，公开号CN121419249A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、选择栅切线结构和第一沟道结构。选择栅切线结构位于堆叠结构在第一方向上的一侧。第一沟道结构位于选择栅切线结构在第二方向上的一侧且沿第一方向延伸并贯穿堆叠结构。第一方向与第二方向相交。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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来源：市场资讯
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