导体元件工业申请一次性可编程存储器单元专利，响应编程电流迁移源极接触硅化物
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2026-02-04 17:12:21
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国家知识产权局信息显示，导体元件工业有限责任公司申请一项名为“一次性可编程存储器单元”的专利，公开号CN121459894A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及一次性可编程存储器单元。公开了一种存储器单元。存储器单元包括晶体管。该晶体管包括：栅极；漏极区，该漏极区通过一个或多个漏极触点耦接到漏极端子；以及源极区，该源极区通过源极触点耦接到源极端子。该晶体管的该一个或多个漏极触点的累积漏极接触面积大于该晶体管的源极接触面积。此外，源极接触硅化物位于该源极触点和该源极区之间，并且该源极接触硅化物被配置为响应于传导通过该漏极区和该源极区的编程电流而迁移到该源极区中。
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