敏芯半导体申请激光器芯片解理方法专利，提高芯片的腔面垂直度
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2026-02-07 11:16:17
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国家知识产权局信息显示，武汉敏芯半导体股份有限公司申请一项名为“激光器芯片解理方法和激光器芯片”的专利，公开号CN121461083A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种激光器芯片解理方法和激光器芯片，激光器芯片解理方法包括在晶圆的第一面形成第一解理道，在第二面形成第二解理道，而后在第二解理道施加应力，使得晶圆解理呈多个激光器芯片，结合第二解理道沿着晶圆高度方向，第二解理道的截面的外缘轮廓，在经由第二面至第一面的方向上，宽度逐渐减小的结构，使得第二解理道的尖端的宽度很小，形成槽尖状，在第二解理道受力的情况下，结合裂纹总是倾向于向能量最高、阻力最小的路径扩展，便于控制裂纹的路径，进而降低裂纹扩展的随机性，可以提高芯片的腔面垂直度，降低解理面粗糙度，提高晶圆的利用率。
天眼查资料显示，武汉敏芯半导体股份有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5514.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏芯半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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