合肥中科微电子创新中心申请高电源抑制比低失调无运放带隙基准电路专利，具有简单的电路结构
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2026-02-07 21:44:31
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国家知识产权局信息显示，合肥中科微电子创新中心有限公司申请一项名为“一种高电源抑制比低失调的无运放带隙基准电路”的专利，公开号CN121478054A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高电源抑制比低失调的无运放带隙基准电路，属于电子电路领域，包括预稳压电路、无运放带隙基准电路、分段温度补偿电路和启动电路；所述启动电路和预稳压电路、无运放带隙基准电路连接，预稳压电路和无运放带隙基准电路的输入端连接，无运放带隙基准电路的输出端和分段温度补偿电路连接。本发明中带隙基准电路采用了无运放结构和负反馈箝位技术，具有简单的电路结构，较小的电路失调，较高的电源抑制比；本发明中预稳压电路极大的提高了传统带隙基准电路无法达到的电源抑制比；分段温度补偿电路产生了高阶电流，抵消了一部分PTAT电流中的非线性，减小了基准电压的温度系数。
天眼查资料显示，合肥中科微电子创新中心有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥中科微电子创新中心有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目78次，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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