爱思开海力士申请包括无源组件的半导体封装件专利，第一坝结构设置在第一电极和第二电极之间
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2026-02-07 21:45:35
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括无源组件的半导体封装件”的专利，公开号CN121487582A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请涉及包括无源组件的半导体封装件。一种半导体封装件包括：设置在基板上的半导体芯片；设置在基板上的第一无源组件和第二无源组件；以及设置在基板上并且覆盖半导体芯片、第一无源组件和第二无源组件的密封剂。第一电极在基板的绝缘层上设置于第一无源组件和绝缘层之间。第二电极在绝缘层上设置于第二无源组件和绝缘层之间并且与第一电极间隔开。第一坝结构设置在绝缘层上。第一坝结构包括支撑图案和围绕支撑图案的阻焊层。第一坝结构设置在第一电极和第二电极之间。
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来源：市场资讯
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