大族激光获得发明专利授权：“一种半导体元件的制备方法”
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2026-02-11 03:41:35
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示大族激光（002008）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体元件的制备方法”，专利申请号为CN202210323719.3，授权日为2026年2月10日。
专利摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体元件的制备方法。所述半导体元件的制备方法包括在基底层的一侧面生长形成第一外延层；利用激光在基底层内形成第一改质层；将基底层沿第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，第一外延层位于第一衬底上；在第一外延层表面制备第一器件。本发明通过将激光由基底层的任意一侧入射，激光在基底层内部加工出第一改质层，直接加工出预设厚度范围的第一衬底，第一衬底厚度通常为50μm～150μm。由此可以提高加工效率，并且通过对第一衬底的剥离面进行磨抛，只需要将激光作用后的缺陷区域修平就可以得到预设厚度范围的第一衬底，可以有效地减小材料的过多浪费。
今年以来大族激光新获得专利授权33个，较去年同期减少了8.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了8.92亿元，同比增11.27%。
通过天眼查大数据分析，大族激光科技产业集团股份有限公司共对外投资了86家企业，参与招投标项目1431次；财产线索方面有商标信息1150条，专利信息6324条，著作权信息1072条；此外企业还拥有行政许可128个。
数据来源：天眼查APP
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