乐瓦微电子申请沟槽型MOS器件沟槽栅制备方法专利，从根本上消除了多晶硅耗尽效应
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2026-02-18 10:13:31
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国家知识产权局信息显示，上海乐瓦微电子科技有限公司申请一项名为“一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法”的专利，公开号CN121548091A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，包括在形成沟槽的半导体衬底上，采用原子层沉积工艺共形沉积一层非晶态金属硅化物前驱体薄膜；随后，对所述前驱体薄膜进行两步连续的等离子体原位转换处理：首先，在含氧或含氮气氛下，施加一个随时间动态调控的射频偏压，将紧邻衬底的部分前驱体薄膜原位转换为栅极介电层；然后，在惰性气氛下，施加低频高功率的射频偏压，通过高能离子注入诱导剩余前驱体薄膜发生固态相变。本发明通过一体化的低温原位转换工艺，不仅简化了制备流程，降低了整体热预算，还从根本上消除了多晶硅耗尽效应，获得了由高性能栅极介电层和金属硅化物导体构成的栅结构。
天眼查资料显示，上海乐瓦微电子科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海乐瓦微电子科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息14条。
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