普瑞光电取得HEMT器件专利，提升了电子迁移率
国家知识产权局信息显示，普瑞光电（厦门）股份有限公司取得一项名为“HEMT器件”的专利，授权公告号CN223957880U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种HEMT器件，包括：衬底；通道层，设置于衬底的一侧，通道层的材料包括未掺杂的GaN；异质外延结构，包括至少一个由AlGaN层和GaN层堆叠形成的超晶格结构，在每个超晶格结构中，GaN层设置于所述AlGaN层远离通道层的一侧；势垒层，设置于异质外延结构远离通道层的一侧，势垒层的材料包括AlGaN；通道层与异质外延结构的总厚度为150～350纳米，AlGaN层中Al元素的占比与势垒层中Al元素的占比相同。本实用新型通过设置异质外延结构，能够形成多个二维电子气通道，减少了单二维电子气通道中电子的拥挤情况，提升了电子迁移率；通过对通道层与所述异质外延结构的总厚度进行设计，无需在后续工序中对芯片制程进行重新设计，避免了芯片制程的加工难度增大的情况。
天眼查资料显示，普瑞光电（厦门）股份有限公司，成立于2011年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，普瑞光电（厦门）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可23个。
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来源：市场资讯
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