广州增芯科技申请电容结构制备方法专利，使得后续形成的封口层不会落入空腔内
创始人
2026-02-27 11:42:18
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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“电容结构的制备方法及电容结构”的专利，公开号CN121583770A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种电容结构的制备方法及电容结构，通过在衬底上形成下极板；在下极板上形成支撑结构和牺牲层，支撑结构内具有在第一方向上贯通支撑结构的空腔、以及环绕空腔的横向凹槽，横向凹槽的槽口沿第二方向连通空腔，牺牲层位于空腔和横向凹槽内；在空腔内的牺牲层的表面、以及横向凹槽上的支撑结构的局部表面形成上极板；在横向凹槽上的支撑结构内形成连通横向凹槽的释放孔；通过释放孔，去除牺牲层；在上极板的表面和支撑结构的顶面形成封口层，封口层还填充释放孔的顶部，以封闭释放孔。将释放孔设置在环绕上极板周围，且位于横向凹槽上的支撑结构内，使得后续形成的封口层不会落入空腔内。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目52次，财产线索方面有商标信息48条，专利信息224条，此外企业还拥有行政许可180个。
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来源：市场资讯
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