芯联先锋申请具有场板的MOS器件及其制造方法专利，兼顾不同器件对于场板高度的要求
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2025-07-05 18:37:45
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“具有场板的MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN120264798A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供了一种具有场板的MOS器件及其制造方法，所述具有场板的MOS器件的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一阶梯介质层，所述第一阶梯介质层暴露出部分所述半导体衬底，所述第一阶梯介质层具有第一厚度；减薄部分所述第一阶梯介质层以形成第二阶梯介质层，所述第二阶梯介质层具有第二厚度；在所述半导体衬底上形成第一栅介质层，所述第一栅介质层具有第三厚度；以及，利用所述第一栅介质层、所述第二阶梯介质层和/或所述第一阶梯介质层以形成阶梯场板，所述阶梯场板具有至少三个高度。利用MOS器件的工艺特点方便地形成了多阶梯场板，兼顾了不同器件对于场板高度的要求。
天眼查资料显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1145420万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司参与招投标项目11次，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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