国家知识产权局信息显示,深圳高登电科股份有限公司申请一项名为“一种双组线圈大间隙的磁保持继电器”的专利,公开号CN121617861A,申请日期为2026年2月。
专利摘要显示,本发明公开了一种双组线圈大间隙的磁保持继电器,属于继电器技术领域,包括支撑件基座;安装在支撑件基座内部一侧的电磁驱动结构;与电磁驱动结构相连接且设置在支撑件基座内部的电磁推动结构;设置在电磁推动结构内部且安装在支撑件基座内部的动片结构;与动片结构相抵触且延伸至支撑件基座外侧的静片结构,其中,电磁推动结构的顶部安装有盖板,支撑件基座的顶部安装有屏蔽罩,动片结构的外侧安装有位于支撑件基座内部的灭弧栅。本发明,通过双组电磁漆包线以及配合双组电磁漆包线的双组线圈骨架,具备更大的电磁负载、电气间隙和爬电距离,可以满足不同使用工况的需求。同时能有效地阻挡电弧的烧蚀,从而提高继电器的使用寿命和安全性。
天眼查资料显示,深圳高登电科股份有限公司,成立于2003年,位于深圳市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本6190.905万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳高登电科股份有限公司共对外投资了13家企业,参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息89条,此外企业还拥有行政许可12个。
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来源:市场资讯