英飞凌申请具有侧壁触点的嵌入式功率半导体封装专利，提供形成半导体封装的方法
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2025-07-07 11:10:20
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有侧壁触点的嵌入式功率半导体封装”的专利，公开号CN120261289A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，一种形成半导体封装的方法包括：提供引线框架，所述引线框架包括至少部分地围绕中心开口的金属框架和连接在所述金属框架与相邻的稳定金属区段之间的多个系杆；将所述引线框架布置在临时载体上；将半导体管芯布置在所述中心开口内的所述临时载体上；形成电介质材料，所述电介质材料填充所述中心开口并且包封所述半导体管芯；在所述半导体管芯上方的所述电介质材料中形成第一凹槽，以便暴露所述半导体管芯的第一表面；将所述半导体管芯的端子与所述金属框架电连接；以及由所述系杆形成所述半导体封装的暴露的外部触点。

来源：金融界

显示 电介质 功率 半导体 引线 布置在 框架 专利 中心 金属 管芯 系杆

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