力特半导体申请单向低电压SIDACTOR专利，增加半导体器件的电流传导
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2026-04-03 19:33:49
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国家知识产权局信息显示，力特半导体（无锡）有限公司申请一项名为“单向低电压SIDACTOR”的专利，公开号CN121772342A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种单向低电压SIDACTor。一种半导体器件、装置、结构及其相关联的方法。该器件包括衬底、第一基层、第二基层和第三基层。衬底被设置在第一基层和第二基层与第三基层之间。该器件包括一个或多个第一掺杂区和一个或多个第二掺杂区。第一掺杂区被设置在第三基层中，并且第二掺杂区的至少一部分被设置在衬底中。第一掺杂区和第二掺杂区形成一个或多个结，这些结被配置为增加半导体器件的电流传导。
天眼查资料显示，力特半导体（无锡）有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本7470万美元。通过天眼查大数据分析，力特半导体（无锡）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目23次，专利信息174条，此外企业还拥有行政许可51个。
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来源：市场资讯
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