意法半导体申请相变存储器单元以及存储器内计算电路专利，加热器元件由具有温度激活电阻特性的导电材料制成
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2026-05-27 00:06:26
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“相变存储器单元以及存储器内计算电路”的专利，公开号CN122094405A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本公开涉及相变存储器单元以及存储器内计算电路。相变存储器(PCM)单元包括相变材料区域和与相变材料区域耦合的加热器元件。加热器元件由具有温度激活电阻特性的导电材料制成。加热器元件的导电材料是具有在14‑19％范围内的硅含量的合金。用于加热器元件的导电材料的合金通过原子层沉积技术以具有基本恒定的厚度的保形层沉积。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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