格科半导体申请图像传感器的形成方法专利，提高图像传感器光电二极管的满阱容量
创始人
2026-06-23 15:59:13
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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“图像传感器的形成方法”的专利，公开号CN122269841A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公里一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；所述衬底包括像素区和逻辑区；在所述衬底中形成浅沟槽隔离结构之前，通过离子注入，在所述像素区的衬底内预先形成深层的第一离子掺杂区，用于后续形成所述图像传感器的部分载流子收集区，以提高所述图像传感器光电二极管的满阱容量。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息163条，此外企业还拥有行政许可112个。
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来源：市场资讯
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