杭州谱析光晶取得提升反向恢复速度的MOS晶体管专利，加快反向恢复的速度
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2025-07-09 00:08:51
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种提升反向恢复速度的MOS晶体管”的专利，授权公告号CN223080392U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种提升反向恢复速度的MOS晶体管，包括由若干VDMOS元胞组成的MOS晶体管，其中所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层包括沉底层、扩散层、抑制P体区、P阱层以及N阱层；所述N阱层与扩散层通过P阱层阻隔；所述P阱层包括轻掺杂P阱层一、轻掺杂P阱层二以及重掺杂P阱层一；所述N阱层包括轻掺杂N阱层以及重掺杂N阱层；所述N阱层中仅重掺杂N阱层与金属源极欧姆短接。本实用新型通过将抑制P体区与漏极呈欧姆短接，这样在出现反向恢复电流下降阶段中，由于抑制P体区自身电场的介入，使得扩散层电荷的下降速度增加，反向恢复电流得以迅速衰减，从而加快反向恢复的速度。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目16次，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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