截至2026年8月17日 10:23，上证科创板芯片指数(000685)强势上涨2.59%，成分股普冉股份上涨9.97%，中科飞测上涨9.95%，仕佳光子上涨8.93%，晶合集成，沐曦股份等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨2.59%，最新价报3.88元。拉长时间看，截至2026年8月14日，科创芯片ETF博时近2周累计上涨8.24%。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手3.09%，成交2350.29万元。拉长时间看，截至8月14日，科创芯片ETF博时近1年日均成交8205.42万元。

消息面上，存储芯片本轮涨价行情持续，二季度普通DRAM、NANDFlash合约价均实现五成以上环比大涨，三季度涨幅虽有所收窄，但仍将维持环比上涨态势，且DDR2、SLCNAND等老旧存储产品涨幅远超新品。本轮涨价核心并非传统消费端需求回暖，而是三星、SK海力士、美光等原厂产能大幅向HBM、高端DRAM、企业级NAND倾斜，传统存储产品产能持续收缩。

在全球存储芯片供应持续紧张的背景下，SK海力士正积极谋划产能扩张新路径。SK集团会长崔泰源近日表示，公司正考虑以合资方式建设新的存储芯片工厂，以降低在行业盛衰周期下巨额资本开支和产能过剩带来的风险。崔泰源同时警告称，存储芯片供应紧张局面将在2027年进一步加剧。

国金证券表示，每轮存储大周期的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新，进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升，推动存储器市场规模上升一个台阶。随着AI驱动需求提升，当下正走在新一轮存储大周期的起点。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年7月31日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中微公司、海光信息、中芯国际、寒武纪、澜起科技、拓荆科技、源杰科技、华海清科、华虹宏力、佰维存储，前十大权重股合计占比61.34%。

科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。

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