昆山工研院三代半导体研究院申请半导体器件建模方法专利，提升了建模效率
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2025-07-10 09:09:29
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金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，昆山工研院第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“半导体器件的建模方法”的专利，公开号CN120278100A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的建模方法。该方法包括：构建关于影响器件电容的多个组成部分、栅指和栅宽的电容关系式；在设定偏置条件下，对待测试器件进行S参数测试，并提取所述器件电容的值；针对不同的待测试器件，重复执行对待测试器件的S参数进行测试，并提取所述器件电容的值的步骤；将不同的待测试器件对应的所述器件电容的值、栅指的数量和栅宽的值代入所述电容关系式，得到至少两个所述电容关系式构建的满秩方程，计算器件电容随不同所述栅指和所述栅宽变化的通解。
天眼查资料显示，昆山工研院第三代半导体研究院有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本11000万人民币。通过天眼查大数据分析，昆山工研院第三代半导体研究院有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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