京东方华灿光电（浙江）申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法_厂商动态

京东方华灿光电（浙江）申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法

创始人

2025-07-11 10:10:07

0次

金融界 2025 年 7 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN120302780A，申请日期为 2025 年 04 月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极和第三电极；外延结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延结构呈台阶结构，台阶结构具有台阶顶面和台阶底面，台阶底面位于第一半导体层表面，外延结构开设有沟道，沟道底部位于第一半导体层表面，沟道与台阶结构连通将外延结构分为第一外延结构和第二外延结构，第一电极位于台阶底面与第一半导体层连接，第二电极位于第一外延结构表面，第三电极位于第二外延结构表面，外延结构还开设有隔离槽，隔离槽底部位于第一半导体层表面。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息967条，此外企业还拥有行政许可37个。

来源：金融界

企业方法电极半导体京东方外延表面台阶结构专利灿光电半导体层二极管

上一篇：正泰电源取得无互联线的载波同步方法等专利

下一篇：全路通号院申请支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备及控制方法专利，实现闪存存储器的编程/擦除暂停和恢复操作

京东方华灿光电（浙江）申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法

相关内容

热门资讯