华虹半导体申请JFET器件专利，公开一种JFET器件结构
金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“JFET器件”的专利，公开号CN120302694A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请公开了一种JFET器件，包括：衬底，其上表面至预定深度的区域中形成有第一掺杂区；外延层，其形成于衬底上，其上形成有第一多晶硅层和第二多晶硅层，其中形成有第一STI结构、第二STI结构和第三STI结构，从俯视角度观察，第一STI结构、第二STI结构和第三STI结构为环形，第二STI结构位于第三STI结构环绕的区域内，第一STI结构位于第二STI结构环绕的区域内；第一STI结构环绕的区域的外延层中形成有第一重掺杂区，第一重掺杂区分别与第一多晶硅层和第二多晶硅层的底部接触，第一STI结构的外两侧的外延层中形成有第二重掺杂区，第二STI结构的外两侧的外延层中形成有第三重掺杂区，第三STI结构的外两侧的外延层中形成有第四重掺杂区。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目907次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界