美光科技申请具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置及具有多个部分的电荷存储结构专利，包含设备及使用所述设备的方法
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2025-07-12 16:38:46
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“具有2晶体管存储器单元的层级的存储器装置及具有多个部分的电荷存储结构”的专利，公开号CN120304026A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一些实施例包含设备及使用所述设备的方法。所述设备中的一者包含第一导电结构、第二导电结构、耦合到所述导电结构中的一者的导电部分及存储器单元。所述存储器单元包含定位于所述设备的不同层阶上且通过介电部分来彼此分离的不同半导体部分。第一半导体部分耦合到所述第一及第二导电结构。第二半导体部分耦合到所述第一导电结构。所述存储器单元包含耦合到所述第二半导体部分的电荷存储结构。所述电荷存储结构包含多个部分。所述导电部分的部分定位于所述电荷存储结构的部分之间且通过介电材料来与所述电荷存储结构分离。
来源：金融界
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