华虹半导体申请层间绝缘层的制备方法专利，改善了器件的可靠性
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2025-07-12 20:09:32
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“层间绝缘层的制备方法”的专利，公开号CN120299984A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种层间绝缘层的制备方法，在形成覆盖栅极的阻挡层之后，采用高密度等离子体气相沉积工艺形成氧化介质层，随后对形成氧化介质层之后的半导体结构进行低温等离子处理，最后在氧化介质层上形成TEOS膜层。本申请通过在采用高密度等离子体气相沉积工艺制备氧化介质层之后，进行一步低温等离子处理，通过低温等离子处理，可以释放氧化介质层的表面电荷，降低氧化介质层表面电势差，去除氧化介质层中的负电荷，从而改善氧化介质层中的不均匀电荷，改善了器件的可靠性，提高了器件的良率和电性能。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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