湖北星辰申请一种半导体结构及其制造方法专利，提供一种半导体结构及其制造方法
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2025-06-20 20:38:20
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金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120187045A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：基板，基板包括衬底以及位于衬底内的绝缘结构；多个沟槽结构，分立设置于基板内；其中，绝缘结构包括至少一个第一子部，第一子部位于相邻的两个沟槽结构之间，且在相邻的两个沟槽结构的排布方向上，第一子部的延伸长度与相邻的两个沟槽结构之间的距离相等；电容结构，包括层叠设置的多个电极层以及至少位于相邻两个电极层之间的第一介质层，电容结构至少覆盖多个沟槽结构的内壁。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2935.8218万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息70条，此外企业还拥有行政许可16个。
来源：金融界
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