厂商动态
乐得瑞推出移动电源新国标PD传输电池信息方案，支持低成本快速导入
前言 移动电源新国标即将实施，要求移动电源需配备智能监测系统，实现电池电压、温度等安全信息的实时监测、全生命周期追溯及电芯容量安全优化，这给众多移动电源厂商带...
康镁特电子取得耐腐蚀空调用主控电路板专利，隔绝或减少外部腐蚀介质对电路板造成的影响
国家知识产权局信息显示，东莞市康镁特电子有限公司取得一项名为“一种耐腐蚀空调用主控电路板”的专利，授权公告号CN223872606U，申请日期为2024年12月...
和圣达光电取得主动式触摸屏静电抑制与信号同步恢复系统专利
国家知识产权局信息显示，深圳市和圣达光电有限公司取得一项名为“一种主动式触摸屏静电抑制与信号同步恢复系统”的专利，授权公告号CN121255054B，申请日期为...
赛微电子大宗交易折价成交6.00万股
赛微电子02月04日大宗交易平台共发生1笔成交，合计成交量6.00万股，成交金额331.50万元。成交价格平均为55.25元，相对今日收盘价折价0.00%。 ...
原创 特朗普计划落空？黄仁勋失望承认，没有一家中国客户下单H200芯片
众所周知，芯片已经不是单纯的商品，而是国之利器。 为何这样说呢？在过去这几年里，西方利用芯片技术优势，对中国展开了一系列的打压措施，包括芯片制造设备的禁售、先...
科创半导体ETF：2月3日融资买入3483.94万元，融资融券余额2.4亿元
证券之星消息，2月3日，科创半导体ETF（588170）融资买入3483.94万元，融资偿还5883.38万元，融资净卖出2399.45万元，融资余额2.4亿元...
粤芯半导体IPO被抽中现场检查，八成收入来自集成电路代工
瑞财经 吴文婷近日，中国证券业协会官网发布“2026年第一批首发企业现场检查抽查名单”，粤芯半导体技术股份有限公司（以下简称“粤芯半导体”）被抽中现场检查。 ...
国内GaN龙头英诺赛科向谷歌批量供货，科创半导体ETF（588170）近2周规模增长5.55亿元领先同类，半导体设备ETF华夏（562590）最新规模达27.57亿元
截至10:43，上证科创板半导体材料设备主题指数下跌0.85%。成分股涨跌互现，晶升股份领涨4.16%，耐科装备上涨1.02%，京仪装备上涨0.44%；神工股份...
科创芯片回调蓄势，澜起科技跌近7%！科创芯片ETF汇添富(588750)跌超3%！AI模型密集迭代，国产芯片生态加速成熟
今日（2.4），科创芯片板块回调，科创芯片ETF汇添富(588750)跌3.38%，盘中成交额已逼近1亿元！资金面上，近5日有4日获资金青睐，累计“吸金”超1....
常州联塍取得隔离开关用操作装置专利，避免损坏隔离开关及电力系统
国家知识产权局信息显示，常州联塍机电设备制造有限公司取得一项名为“一种隔离开关用操作装置”的专利，授权公告号CN223871385U，申请日期为2025年1月。...
壹迦盛电子科技取得电路板焊点光学检测装置专利，可对放置在工作台内的电路板进行固定
国家知识产权局信息显示，壹迦盛电子科技（嘉兴）有限公司取得一项名为“一种电路板焊点光学检测装置”的专利，授权公告号CN223870567U，申请日期为2025年...
导体元件工业申请一次性可编程存储器单元专利，响应编程电流迁移源极接触硅化物
国家知识产权局信息显示，导体元件工业有限责任公司申请一项名为“一次性可编程存储器单元”的专利，公开号CN121459894A，申请日期为2025年6月。 专利摘...
华星光电申请显示面板和显示设备专利，实现栅极与有源图案的绝缘
国家知识产权局信息显示，广州华星光电半导体显示技术有限公司申请一项名为“显示面板和显示设备”的专利，公开号CN121463687A，申请日期为2025年10月。...
公安部：全国3.6亿人已申领电子驾照
新京报讯（记者陈琳）2月4日，市场监管总局联合工业和信息化部、公安部和交通运输部召开道路交通标准化专题新闻发布会。公安部交通管理局副局长张宁表示，目前全国已累计...
贵州电网申请考虑电力电子设备影响的短路参数计算方法专利，显著提升了含电力电子设备的电力系统短路分析的准确性与鲁棒性
国家知识产权局信息显示，贵州电网有限责任公司申请一项名为“一种考虑电力电子设备影响的短路参数计算方法”的专利，公开号CN121440473A，申请日期为2025...
利迪恩实验室申请用于电阻加热的反应器系统的电耦合器专利，允许流体流过电耦合器
国家知识产权局信息显示，利迪恩实验室公司申请一项名为“用于电阻加热的反应器系统的电耦合器”的专利，公开号CN121443375A，申请日期为2024年6月。 专...
晶科能源申请背接触电池制备方法专利，有利于降低串联电阻提升填充因子
国家知识产权局信息显示，上饶晶科能源叁号智造有限公司;浙江晶科能源有限公司申请一项名为“一种背接触电池及制备方法、背接触叠层电池和光伏组件”的专利，公开号CN1...
京东方华灿光电申请改善可靠性的发光二极管专利，改善外延层损坏而导致发光二极管的发光效果变差的问题
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“改善可靠性的发光二极管及其制备方法和显示面板”的专利，公开号CN121463607A，申请日...