三安光电申请一种发光二极管及发光装置专利，提高发光二极管的发光效率
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2025-06-21 10:09:41
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，天津三安光电有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN120187165A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置，半导体外延叠层中P型电流扩展层形成有凹陷结构，凹陷结构朝向所述N型半导体层的方向延伸，并且可以进一步延伸至P型限制层，在出光面所在的平面上投影，第一电极的投影位于所述凹陷结构的投影范围内。上述凹陷结构会使得其所环绕区域的P型半导体层的电阻增大，因此，使得由其环绕的第一电极下方对应的有源层中通过的电流减少，从而能够减少第一电极下方对应的有源层发出的光，也就减少了能够入射到第一电极与第一N型半导体层的欧姆接触的界面的光，也就减少了欧姆接触界面的光吸收，能够提高发光二极管的发光效率。
天眼查资料显示，天津三安光电有限公司，成立于2008年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，天津三安光电有限公司参与招投标项目28次，专利信息334条，此外企业还拥有行政许可46个。
来源：金融界
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