陛通半导体取得横流式原子层沉积设备专利
创始人
2025-07-22 15:16:41
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司取得一项名为“横流式原子层沉积设备”的专利，授权公告号CN120041808B，申请日期为2025年04月。

天眼查资料显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，陛通半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目3次，专利信息34条，此外企业还拥有行政许可8个。

来源：金融界

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