湖南红太阳光电申请掺杂多晶硅制备方法等专利，片间均匀性好
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2025-07-23 20:10:15
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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，湖南红太阳光电科技有限公司申请一项名为“一种掺杂多晶硅的制备方法、硅片及其应用”的专利，公开号CN120358818A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种掺杂多晶硅的制备方法、硅片及其应用，该制备方法包括：采用PECVD法依次制备掺杂源层和非晶硅层，以及重复掺杂源层和非晶硅层的制备步骤，形成由掺杂源层和非晶硅层堆叠而成的掺杂非晶硅复合膜层。本发明制备方法，通过先制备由掺杂源层和非晶硅层堆叠而成的片间均匀性好、掺杂浓度高的掺杂非晶硅复合膜层，进而经退火处理后即可获得片间均匀性好、掺杂浓度高的掺杂多晶硅，且采用本发明方法在硅片表面沉积掺杂多晶硅时，所得硅片可广泛用于制备TOPCon电池、IBC电池或TBC电池，本发明制备方法还具有工艺时间短、操作方便、对隧穿层损伤小、片间均匀性好、掺杂浓度高、便于量产等优点，使用价值高，应用前景好。
天眼查资料显示，湖南红太阳光电科技有限公司，成立于2009年，位于长沙市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本65270.9万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南红太阳光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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