浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，进一步提高半导体器件的开电流
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2025-07-25 13:12:30
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120379321A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底，包括第一区、与所述第一区相连接的第二区；在所述第一区依次形成堆叠的第一源极层、第一沟道层和第一漏极层，以形成第一叠层；在所述第二区依次形成堆叠的第二源极层、第二沟道层和第二漏极层，以形成第二叠层；在所述第一叠层与第二叠层之间形成有间隔凹槽；形成环绕覆盖所述间隔凹槽侧壁和底部的栅介质层；形成环绕覆盖所述栅介质层且填充所述间隔凹槽内的栅结构层。采用本申请实施例半导体结构的形成方法，可以进一步提高半导体器件的开电流。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息342条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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