上海芯旺微电子申请高电容密度三维电容结构及其制备方法专利，具有更高的可靠性
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2025-08-04 19:10:04
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海芯旺微电子技术股份有限公司申请一项名为“一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法”的专利，公开号CN120417400A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高电容密度的三维电容结构及其制备方法，属于电力电子元件技术领域。包括：在基板上采用生长工艺形成深槽或者柱状结构作为电容的基础结构，并在此基础结构上沉积金属层‑绝缘层‑金属层结构形成电容，其中金属层作为电容的极板，绝缘层作为电容的介质层。本发明采用生长方式长出深槽结构或者柱状结构，相对于在硅上挖槽的方法可以成本更低，同时因为主体结构变成了金属，而金属的柔韧性相对于硅来说更好，因此结构更容易承受应力的冲击而不发生破坏，因此具有更高的可靠性。
天眼查资料显示，上海芯旺微电子技术股份有限公司，成立于2012年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海芯旺微电子技术股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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