罗姆申请SiC半导体装置专利，使杂质区域的导电型反转
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2025-08-06 12:41:25
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120435925A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，SiC半导体装置包括：SiC层，其包括主面，且在层叠方向上具有轴沟道；p型的杂质区域，其形成在所述SiC层内；沟槽，其在所述主面形成得比所述杂质区域浅，且在与所述SiC层的底部之间划分出包括所述杂质区域的一部分的下侧区域；以及n型的反转柱，其以沿着所述轴沟道延伸的方式形成在所述下侧区域内，使所述杂质区域的导电型反转。
来源：金融界
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