三安半导体申请发光二极管、制作方法及发光装置专利，有效避免电极断裂的问题
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2025-08-06 21:18:05
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管、制作方法及发光装置”的专利，公开号CN120435125A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供了一种发光二极管、制作方法及发光装置，发光二极管包括衬底及位于衬底表面的半导体叠层，半导体叠层具有半导体平台和半导体台面，半导体平台露出第二半导体层表面，半导体台面露出第一半导体层表面，包括第一区域和第二区域；第一区域上方形成有第一电极，第二区域环绕至少部分半导体平台；其中，半导体平台具有与第一区域连接的第一外侧壁，以及与第二区域连接的第二外侧壁，第一外侧壁和第二外侧壁与衬底表面分别具有一夹角α和夹角β，α＜β。通过控制上述侧壁角度，有效避免电极断裂的问题，降低芯片失效的概率，并优化出光面积，显著提高电极的可靠性和稳定性，为Micro-LED器件的性能优化及规模化生产提供了可靠的工艺基础。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目56次，专利信息605条，此外企业还拥有行政许可344个。
来源：金融界
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