三安半导体申请发光二极管、制作方法及发光装置专利,有效避免电极断裂的问题
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2025-08-06 21:18:05
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金融界2025年8月6日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“发光二极管、制作方法及发光装置”的专利,公开号CN120435125A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本申请提供了一种发光二极管、制作方法及发光装置,发光二极管包括衬底及位于衬底表面的半导体叠层,半导体叠层具有半导体平台和半导体台面,半导体平台露出第二半导体层表面,半导体台面露出第一半导体层表面,包括第一区域和第二区域;第一区域上方形成有第一电极,第二区域环绕至少部分半导体平台;其中,半导体平台具有与第一区域连接的第一外侧壁,以及与第二区域连接的第二外侧壁,第一外侧壁和第二外侧壁与衬底表面分别具有一夹角α和夹角β,α<β。通过控制上述侧壁角度,有效避免电极断裂的问题,降低芯片失效的概率,并优化出光面积,显著提高电极的可靠性和稳定性,为Micro-LED器件的性能优化及规模化生产提供了可靠的工艺基础。

天眼查资料显示,泉州三安半导体科技有限公司,成立于2017年,位于泉州市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析,泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目56次,专利信息605条,此外企业还拥有行政许可344个。

来源:金融界

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