美光科技申请存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法专利，涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
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2025-08-16 19:14:02
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN120500036A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本公开涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括绝缘材料与存储器单元的竖直交替层级。所述存储器单元个别地包括电容器及水平定向晶体管。半导体材料在所述竖直交替层级正下方。晶格结构在所述半导体材料内。所述晶格结构包括绝缘第一竖直壁及绝缘第二竖直壁，其在所述半导体材料的顶部下方横向地彼此交叉。所述晶格结构包括绝缘水平毯覆层，其竖直地位于所述半导体材料的所述顶部与底部之间并与之间隔。多个所述第一竖直壁或多个所述第二竖直壁中的至少一者个别地在所述绝缘水平毯覆层的顶部处比在所述绝缘水平毯覆层的底部处窄。还公开包含方法的其它实施例。

来源：金融界

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