成都汉桐光耦芯片开发项目可行性研究报告
创始人
2025-09-20 07:02:36
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光耦芯片是一种能够将光信号转化为电信号的集成电路,系光电耦合器中的核心电子元器件,光耦芯片的设计及质量能够决定光电耦合器最终的产品性能。

公司掌握了光耦芯片自主可控的研发能力,可根据光耦产品封装技术的演进或客户对光耦产品的需求,适时调整光耦芯片的相关设计,能更好地提升光耦产品的整体性能,快速响应下游日益精细化的需求。

2019 年至今,公司自主开发了二十余款光耦产品核心的光耦芯片,包括高速的 1M、5M、25M、50M 芯片和具备 3A 大电流驱动能力的栅极驱动等光耦芯片。公司利用自主研发的核心芯片,开发了几十款对标进口产品的光电耦合器产品,包括晶体管型、功率型、高速型等,申请了自主研发的创新性光耦产品的发明专利,建立了光耦产品的开发、测试平台。公司利用自身的高可靠封装产线,可以完成光耦产品的封装、测试等生产工序。

首先,通过自主设计并外协投片光耦芯片,公司光耦产品的供应链安全性强于竞争对手,在市场经历芯片缺货潮时,公司更能保证光耦产品的供货。其次,公司可根据光耦产品封装技术的演进或客户对光耦产品的需求,适时调整光耦芯片的相关设计,能更好地提升光耦产品的整体性能,对客户的要求做到快速响应。再者,由于芯片的自主可控,公司光耦产品较行业竞争对手具有一定的成本优势。公司光耦模块及芯片的销售额逐年提高,市场占有率不断提升。

1、项目内容

本项目实施后将为公司吸引优秀的研发人才,引进先进的研发软件设备,支撑芯片流片支出,充分发挥公司光耦芯片的开发能力,推动公司光耦芯片更新迭代以促使公司光电耦合器产品适应国防军工用户对武器装备小型化、轻量化日益增大的需求。

本项目的实施将满足公司 10 余款光耦芯片的研制升级的需求,通过技术和工艺创新升级提升公司光耦芯片的性能及可靠性,降低公司光耦芯片的生产成本,从而减小公司光耦产品体积、拓宽公司光耦产品线,提升公司在光电耦合器领域的核心竞争力。

本次项目的规划与公司的战略发展方向保持一致,项目的实施顺应了我国军用光耦行业的发展趋势,可以更好地发挥公司丰富的研发和生产经验,推动公司光耦产品更新迭代,拓宽公司光耦产品线,提升公司市场占有率。

项目的完成将为公司扩大规模、提高企业综合竞争力奠定基础,为公司实现业务发展目标提供资金、技术支持等方面的保障,促进公司光电耦合器业务长期健康可持续发展。

自 2015 年设立以来,公司以军用光耦芯片设计与应用及军用集成电路封装产品为核心业务,依托自身在芯片开发及应用和特种封装领域深厚的技术和工艺积累,围绕新国际环境下国防军工领域客户的需求,不断丰富扩展自身产品和服务,为客户提供了自主可控、技术领先、性能可靠稳定的全国产化光耦产品及质量高可靠的特种封装产品。

目前,公司产品主要应用于航空、航天、兵器、电子、船舶等高精尖领域,向机载、弹载、舰载等武器装备进行配套,并满足了以上领域对配套产品全温区、长寿命、耐腐蚀、抗冲击等高可靠性要求。

2、项目实施地点与时间安排

本项目的实施地点为四川省成都市双流区公兴街道双塘村集体、8、9 组。项目的建设期预计为 36 个月,共 12 个季度。

3、投资计划

本项目预计投资人民币约 8,058.04 万元

4、项目审批及备案情况

成都市汉桐集成技术股份有限公司已于 2023 年 3 月 20 日就三维异构集成产业化项目向成都市双流区发展和改革局办理备案,并取得《四川省固定资产投资项目备案表》,备案号为川投资备【2303-510122-04-01-543967】FGQB-0131 号。该项目系研发类项目,根据《建设项目环境影响分类管理名录(2021 版本)》第“四十五、研究和实验发展”条款,由于项目不产生实验废气、废水、危险废物,无需实施建设项目环境影响评价审批。

5、项目涉及土地使用权情况

本项目建设地点位于四川省成都市双流区公兴街道双塘村集体、8、9 组。项目预计使用土地面积为 40 亩。公司已于 2022 年 12 月 28 日与该项目用地出让方签署了土地转让意向协议。公司预计按照土地转让程序取得上述土地使用权原则上不存在实质性障碍。

6、项目的环境保护情况

本项目的实施将引入开发办公设备,项目实施过程中产生的少量办公和生活垃圾将由环卫部门定期清运,不涉及生产相关的污染物,对环境不存在不良影响;项目所需能耗为办公场所日常的照明用电、电脑用电、空调用电等,无特殊工业用电需求,项目用电将按规定采取相应安全的保护措施。

此报告为摘录公开部分。定制化编制政府立项审批备案、IPO募投可研、国资委备案、银行贷款、能评环评、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可研报告可咨询思瀚产业研究院。

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