申集半导体申请一种半导体化合物的外延生长方法专利，有利于兼容不同半导体材料层的生长工艺
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2025-06-24 18:38:11
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，申集半导体科技（徐州）有限公司申请一项名为“一种半导体化合物的外延生长方法”的专利，公开号CN120193334A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体化合物的外延生长方法，该外延生长方法中提供的外延生长设备的气体注入装置包括补偿进气通道及若干工艺进气通道，利用该外延生长设备在基片上顺次进行组成不同的第一半导体材料层和第二半导体材料层的生长。在第二半导体材料层的生长工艺进行过程中，利用探测装置获取第二半导体材料层在基片的径向方向上不同区域的各生长速率，根据各生长速率判断是否通过补偿进气通道通入补偿气体以同步进行气体补偿处理，使得外延生长设备能够适用于不同半导体材料体系的生长，有利于兼容不同半导体材料层的生长工艺，提高生产效率以及半导体材料层的均匀性。
天眼查资料显示，申集半导体科技（徐州）有限公司，成立于2021年，位于徐州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2009.0909万人民币。通过天眼查大数据分析，申集半导体科技（徐州）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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