三星 HBM4 内存首秀：逻辑芯片良率达 90%、引脚速度 11 Gbps
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2025-10-23 15:16:32
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IT之家 10 月 23 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 22 日）发布博文，报道称在韩国首尔举办的 2025 年半导体展览会（SEDEX）上，三星首次公开展示了 HBM4 内存，表明这家韩国科技巨头已为即将到来的高带宽内存市场竞争做好了充分准备。
IT之家注：HBM4 是指第四代高带宽内存。一种用于高性能计算（特别是 AI 加速器）的堆叠式存储器技术，通过在垂直方向上连接多个 DRAM 芯片，实现比传统内存更高的数据传输速率和更低的功耗，是 AI 加速卡的核心部件之一，直接影响未来 AI 性能的扩展。
包括三星、SK 海力士和美光在内的主要内存制造商为确保其产品能被市场广泛采用，都在全力开发具有竞争力的 HBM4 解决方案。
根据行业媒体 DigiTimes 的报道，三星的 HBM4 逻辑芯片良率已达到 90%。这一高良率指标表明，三星已为大规模量产做好了准备，并且目前预计不会出现生产延迟。这对于满足未来 AI 市场对高性能内存的庞大需求至关重要，也让三星在与对手的竞争中获得了关键优势。
为了确保其 HBM4 产品能尽早获得市场采纳，三星正在实施多项竞争策略。这些策略包括维持有竞争力的价格、提供比对手更高的产能，以及向英伟达等关键客户交付更快的引脚速率。
三星 HBM4 的引脚速率可达 11Gbps，高于 SK 海力士和美光目前公布的水平。虽然三星尚未获得英伟达的 HBM4 供应认证，但鉴于其技术进展，前景十分乐观。
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