[ 涨价直接提升了国内存储厂商扩产的紧迫性，二级市场随之开启“芯片扩产，设备先行”的交易逻辑。11月10日，半导体设备指数收涨1.46%，华海清科、中微公司纷纷上扬，拓荆科技收盘再涨1.42%，续创历史新高，年内涨幅高达120.4%。此外，盛美上海（688082.SH）、华峰测控（688200.SH）等个股的年涨幅均超过70%，板块性行情特征显著。 ]

AI浪潮席卷全球，存储芯片短缺愈演愈烈，一场由需求驱动的扩产大幕正徐徐拉开。随着三星、SK海力士、美光等存储海外原厂将资本开支倾斜于HBM（高带宽存储器）为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口预计将至少持续至明年。在这一背景下，国内存储厂商扩产的紧迫性上升，而设备作为扩产的前置环节，率先成为市场关注的焦点。

11月10日，A股半导体设备板块表现强势，拓荆科技（688072.SH）再创历史新高，年涨幅超过120%，板块个股集体上扬。华海清科（688120.SH）、中微公司（688012.SH）等企业前三季度营收与净利润实现两位数增长，存货与合同负债规模持续攀升，预示着订单饱满、业绩释放可期。随着国产设备在刻蚀、薄膜沉积等关键工艺上不断突破，一场由存储扩产带动的设备国产化浪潮，正在资本市场上掀起波澜。

存储短缺催生扩产预期

存储芯片的每轮强上行周期基本均由需求带动，本轮周期上行主要系AI服务器、多模态应用等需求爆发。需求爆发使得原本库存水平正常的存储芯片，出现缺货涨价情况。

招商证券研报指出，10月各存储型号价格加速上涨，环比涨幅在40%~100%不等。进入11月，存储涨价潮仍未见到势头衰弱的迹象，各家存储原厂均明确表态涨价。本月，全球存储芯片龙头闪迪（SanDisk）宣布将NAND闪存合约价格大幅上调50%，主要受AI数据中心需求爆发及晶圆供应紧张的双重驱动，引发存储产业链连锁反应。

与此同时，由于高阶服务器DRAM和HBM的盈利能力更强，而存储的供给侧产能扩张有限，国际原厂逐渐退出低端市场，将现有产线转向高端市场，使得部分产品供给大幅降低，这一举动进一步扰动了存储领域供需格局，挤压了手机、PC等消费电子产能，结构性缺货局面面临持续。

涨价直接提升了国内存储厂商扩产的紧迫性，二级市场随之开启“芯片扩产，设备先行”的交易逻辑。11月10日，半导体设备指数收涨1.46%，华海清科、中微公司纷纷上扬，拓荆科技收盘再涨1.42%，续创历史新高，年内涨幅高达120.4%。此外，盛美上海（688082.SH）、华峰测控（688200.SH）等个股的年涨幅均超过70%，板块性行情特征显著。

值得注意的是，两家正在积极推动IPO进程的国产存储龙头长江存储与长鑫存储，其一旦获得IPO募集资金后，将具备更大的产能扩张实力，进而带动国产设备增长的预期，这亦是支撑半导体设备板块走强的原因之一。

需求的东风已至，目前市场对AI带来的存储缺货持续性达成共识，甚至有部分机构指出，2026年高端存储芯片品类的供给缺口将进一步扩大。招商证券研报认为，不同于2024年存储原厂减产和主动提价带来的价格短暂上行，本轮存储行业周期主要系AI时代下存储需求爆发推动，本轮存储上行周期的特征是价格上涨持续性更强且整体涨势加速，同时供给侧产能开出有限，因此展望2026年上半年甚至2026年存储行业供需缺口或将进一步扩大，价格涨势有望延续。

国产设备三季报亮眼

半导体设备在二级市场表现火热的背后，是三季报业绩的坚实支撑。半导体中信成份板块2025年前三季度实现营业收入总和852.07亿元，同比增长204.29亿元或31.54%，实现归母净利润总和120.55亿元，同比增长29.66亿元或32.63%。

从营收与净利润来看，多家设备公司实现高速增长。例如，拓荆科技前三季度营收42.2亿元，同比增长85.27%，净利润5.57亿元，增幅达105.14%；中微公司营收80.63亿元，同比增长46.4%，净利润12.11亿元，增长32.66%；长川科技（300604.SZ）归母净利润同比增幅高达142.14%。

更值得关注的是存货与合同负债两项指标，它们通常被视为业绩释放的“先行指标”。存货方面，截至三季度末，北方华创的存货为301.99亿元，较今年初增长了近80亿元；中微公司存货达81.94亿元，拓荆科技为80.69亿元，不仅均处于历史高位，并且相比今年初都增长了逾10亿元。合同负债指标通常表明下游客户为锁定设备交付，已支付大量预付款，设备商的订单能见度极高，拓荆科技、北方华创、中微公司3家设备厂商的三季度末合同负债金额超过40亿元。

其中，拓荆科技的合同负债较年初增长了19.1亿元或64%，该公司第三季度业绩表现亮眼，实现营业收入22.66亿元，同比增长124.15%；归母净利润为4.62亿元，同比增长225.07%；扣非净利润为4.20亿元，同比增长822.50%，业绩大增原因主要系产品工艺覆盖面不断扩大，先进制程的验证机台进入规模化量产阶段。

国产半导体设备企业经过多年深耕与发展，已磨好了技术的“利剑”，站在存储扩产带来的历史性风口之上，设备产业链受益周期景气度是市场关注焦点。

在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备。存储芯片，尤其是3D NAND和先进DRAM的制造，是半导体工艺的皇冠，其扩产将显著带动刻蚀与薄膜沉积这两大类核心设备的需求。

高端半导体设备已逐渐成为国产设备制造商的主战场。龙头股北方华创今年上半年相继迎来立式炉、物理气相沉积（PVD）两种装备的第1000台整机交付里程碑，同时公司发布了离子注入设备、电镀设备、金属有机物化学气相沉积设备等新产品。

等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是中微公司的主打产品，公司前三季度的刻蚀设备收入61.01亿元，同比增长约38.26%，其中，应用于先进存储器件和逻辑器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产，新开发的LPCVD（低压化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）等多款薄膜设备也已顺利进入市场。