原相科技申请硅紫外光光电二极管及其制造方法专利，增强紫外光灵敏度
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2025-11-25 11:07:19
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国家知识产权局信息显示，原相科技股份有限公司申请一项名为“硅紫外光光电二极管及其制造方法”的专利，公开号CN 121001415 A，申请日期为2024年9月。专利摘要显示，本发明提供了一种硅紫外光光电二极管及其制造方法。该硅紫外光光电二极管包括：一N型区，形成于硅基板的上表面下方并与其接触；一P+区，形成于N型区下方并与其接触；一深N型阱区，形成于该P+区下方并与其接触；以及一N型导电通道，连接至深N型阱区，用以流出由深N型阱区中形成的电子‑空穴对引起的非紫外光电流；其中，通过热处理制程步骤，以P+注入区的P型掺杂杂质，扩散补偿N型注入区的N型掺杂杂质，以将该N型区的深度，控制到预定深度，以增强紫外光灵敏度。
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