中芯国际申请半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置专利，提高半导体结构的良率和性能_电池技术

中芯国际申请半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置专利，提高半导体结构的良率和性能

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2025-11-28 13:37:10

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置”的专利，公开号CN121038303A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体结构的制造方法、半导体结构及电子装置，该方法通过基底上第一鳍部和第二鳍部的关键尺寸、鳍部表面钝化层的厚度，以及目标关键尺寸来确定当前刻蚀选择比，并基于表征预设刻蚀选择比与预设湿刻蚀工艺的对应关系的选择比刻蚀工艺映射信息来确定该当前刻蚀选择比对应的目标预设湿刻蚀工艺，进而基于该目标预设湿刻蚀工艺对基底上的多个鳍部进行减薄处理，从而使得减薄处理后的各鳍部的关键尺寸均能够与目标关键尺寸相匹配，实现了对不同氧化速率的鳍部的关键尺寸的有效控制，避免了减薄处理后氧化速率相对较大的鳍部的关键尺寸出现失控的问题，提高了半导体结构的良率和性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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