吉莱微电子申请深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法专利，有效优化器件的动态特性_电池技术

吉莱微电子申请深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法专利，有效优化器件的动态特性

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2025-06-27 21:38:57

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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请一项名为“一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法”的专利，公开号CN120224745A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法，器件设有间断结构的多晶硅淀积，额外设有单独的栅源ESD保护区，器件整体以N型衬底进行二次外延，按最优条件拓展出多个功能层。本发明通过通过两次外延的N型衬底来缓解因刻蚀角度导致的槽宽不等所造成的电荷不平衡；通过刻蚀分离元胞的多晶硅，一半连接栅极金属，另一半连接源极金属，构成Dummy结构，真假元胞比为1：1，有效解决输入电容过大的问题，在不影响耐压和动态导通电阻的前提下，有效优化器件的动态特性；通过设置栅源电极之间的ESD保护，防止器件在瞬态高电压大电流情况下不被损坏。

天眼查资料显示，江苏吉莱微电子股份有限公司，成立于2001年，位于南通市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5224.5351万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏吉莱微电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可17个。

成都吉莱芯科技有限公司，成立于2018年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都吉莱芯科技有限公司专利信息31条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

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