国家知识产权局信息显示,安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利,公开号CN121035103A,申请日期为2025年8月。
专利摘要显示,本申请实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括位于测试区域的层间介质层漏电测试结构,层间介质层漏电测试结构包括具有相对设置的第一表面和第二表面的半导体本体;第一绝缘层;多个间隔设置的第二绝缘层;多个第一电极层;层间介质层,设置有第一通孔和第二通孔;测试电极层,包括第一测试电极和第二测试电极;第一测试电极通过第一通孔与第一电极层连接;第二测试电极通过第二通孔与第一绝缘层连接;还包括隔离第一测试电极和第二测试电极的第三通孔。本申请中设置层间介质层漏电测试结构,通过测试电极层提供电压控制,并测试漏电情况,以达到和监控芯片区相同的效果,提高半导体器件的可靠性。
天眼查资料显示,安徽长飞先进半导体股份有限公司,成立于2018年,位于芜湖市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目32次,财产线索方面有商标信息78条,专利信息213条,此外企业还拥有行政许可13个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯