TCL申请薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置专利，薄膜具有较高的空穴迁移率
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2025-12-03 17:36:19
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国家知识产权局信息显示，深圳市TCL高新技术开发有限公司申请一项名为“薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置”的专利，公开号CN121057422A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请公开一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。薄膜的材料包括有机P型半导体材料和掺杂剂，掺杂剂包括多氰基类共轭化合物、多三氟甲基类共轭化合物中的一种或几种。本申请提供的薄膜具有较高的空穴迁移率。

天眼查资料显示，深圳市TCL高新技术开发有限公司，成立于2008年，位于深圳市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市TCL高新技术开发有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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