意法半导体申请包括氮化镓功率晶体管的单片式组件专利，包含场效应功率晶体管和氮化镓衬底内的肖特基二极管
创始人
2025-12-03 22:35:44
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国家知识产权局信息显示，意法半导体应用有限公司;意法半导体（图尔）公司申请一项名为“包括氮化镓功率晶体管的单片式组件”的专利，公开号CN121057283A，申请日期为2020年6月。专利摘要显示，本公开涉及包括氮化镓功率晶体管的单片式组件。单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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