乾照光电申请光电半导体器件及其制作方法专利，减小键合面的键合空隙
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2025-12-04 13:36:16
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国家知识产权局信息显示，扬州乾照光电有限公司申请一项名为“一种光电半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121057383A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明提供的光电半导体器件及其制作方法，包括：外延叠层，所述外延叠层包含依次堆叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层，且具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第一表面为出光面；导电基板，通过键合层键合设置于所述第二表面；其中，所述键合层通过金属层与铟层键合形成，且所述金属层包括交替堆叠的柔性金属膜层和刚性金属膜层。基于上述设置，交替堆叠的柔性金属膜层和刚性金属膜层作为金属层与铟层进行键合过程中，通过柔性金属膜层的导电性和拉伸性，在升温加压的键合环境下，金属层可更好地与铟层接触，从而不断调整金属层与铟层的贴合角度，得以减小键合面的键合空隙。
天眼查资料显示，扬州乾照光电有限公司，成立于2009年，位于扬州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58200万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州乾照光电有限公司参与招投标项目17次，专利信息321条，此外企业还拥有行政许可112个。
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来源：市场资讯
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