智芯微电子等申请感存一体自旋电子器件及制造方法等相关专利，极大降低了数据在传感单元与存储单元之间传输的功耗与延迟
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2025-06-28 16:20:44
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司、北京航空航天大学 申请一项名为“感存一体自旋电子器件及制造方法、磁随机存储器”的专利，公开号CN120225036A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明涉及磁随机存储器技术领域，提供一种感存一体自旋电子器件及制造方法、磁随机存储器。感存一体自旋电子器件包括：基底、存储层、钝化层、感应层以及电极层；存储层包括至少一个磁隧道结，磁隧道结包括依次层叠的重金属层、铁磁自由层、隧穿层以及铁磁参考层；电极层具有至少一对电极，感应层与电极层的一对电极相连，电极通过形成于钝化层内的导电通孔与重金属层连接；感应层由相变材料构成，能够感应温度、光强、压力或电信号的变化并产生电流信号，控制磁隧道结的阻态翻转以实现数据存储。
来源：金融界
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