南亚科技取得具有阻障层的半导体元件及其制备方法专利
创始人
2025-12-05 12:10:04
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司取得一项名为“具有阻障层的半导体元件及其制备方法”的专利，授权公告号CN115223982B，申请日期为2022年2月。

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