长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利
创始人
2025-12-05 19:09:09
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国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121078724A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，公开一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，包括阵列区以及外围区，阵列区设置有第一导电结构，外围区设置有第二导电结构；第一介质层，覆盖第一导电结构以及第二导电结构；第二介质层，位于外围区，且覆盖第一介质层，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同；连接结构，位于外围区，包括相连接的第一部以及第二部，第一部穿过第二介质层和第一介质层与第二导电结构电接触，第二部位于第二介质层上；电容结构，位于阵列区，穿过第一介质层与第一导电结构电接触；平坦化层，覆盖电容结构和连接结构；插塞，插塞贯穿平坦化层，位于阵列区的插塞与电容结构电连接，位于外围区的插塞分别与连接结构和第二导电结构电接触。
天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目396次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可61个。
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来源：市场资讯
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